2025 年 6 月 13 日—— 为期两天的第十七届国际汽车动力系统技术年会（TMC2025）在南通国际会展中心圆满落幕。本次会议由中国汽车工程学会、江苏省科学技术协会主办悦配资，吸引了全球 2750 余位行业专家、整车代表及核心零部件企业决策者参会，线上线下总关注量超 82 万人次。会议围绕新能源汽车动力系统技术迭代展开深度探讨，重点聚焦车规级功率半导体的前沿突破与产业化路径。
一、车规级功率半导体技术成核心议题
作为全球汽车动力技术领域的顶级盛会，TMC2025 设置了 5 大专题论坛与 110 场主题演讲，覆盖电驱动总成、混动系统、功率半导体等产业链关键环节。在 “车规级功率半导体技术创新” 分论坛上，英飞凌、中车时代半导体、比亚迪半导体等企业代表分享了第三代半导体材料（SiC、GaN）在新能源汽车中的最新应用进展。
英飞凌展示了其第四代 SiC MOSFET 技术，该产品通过优化栅极结构与散热设计，将电驱系统效率提升至 99% 以上，同时适配 800V 高压平台，支持 5 分钟补能 400 公里的超快充场景。中车时代半导体则披露了其 16 年 SiC 技术研发积累，重点介绍了基于轨交场景开发的高可靠性模块，目前已向新能源汽车和工业市场辐射。
展开剩余80%会议期间，拓普集团、采埃孚等 Tier1 企业发布了新一代电驱系统解决方案。采埃孚推出的 CIPB（Chip in Polymer Bonding）封装技术，通过将 SiC 芯片直接嵌入 PCB 基板，实现了模块体积缩小 30%、杂散电感降低至 3nH 以下的突破，为电驱系统的集成化设计提供了新思路。
二、第三代半导体材料与工艺创新集中亮相
在近 180 家展商参与的展览区，第三代半导体材料与封装技术成为焦点。江苏富乐华展示了自主研发的 DBA（直接键合铝）陶瓷基板，其热循环 1000 次后仍保持界面完整性，成本较进口 AMB 基板降低 30%-40%悦配资，已批量应用于车规级 SiC 模块。住友电木推出的无压银烧结技术，通过优化塑封材料配方，使芯片应力降低 40%，显著提升了模块在高温工况下的可靠性。
技术闭门会环节，来自整车厂、半导体企业及高校的专家围绕 “SiC 功率模块可靠性提升策略” 展开讨论。专家指出，当前 SiC 器件的长期可靠性问题仍是产业化瓶颈，需通过材料缺陷控制、封装工艺优化及系统级热管理协同突破。
三、国产企业加速技术突围与生态构建
会议期间，本土企业的技术突破尤为引人关注。比亚迪半导体展示了其自主研发的 1500V SiC MOS 芯片，可使电驱动系统功率提升 15% 以上，目前已通过 AEC-Q101 车规认证并批量装车。苏州悉智科技发布的大功率 SiC 模块（>380kW），通过低回路均流设计与并联水路散热技术，率先实现了国产替代国际品牌的规模化应用。
在第三代半导体材料领域，湖南三安、天岳先进等企业展示了 8 英寸 SiC 衬底量产能力。天岳先进透露，其自主研发的 8 英寸 SiC 衬底综合良率已突破 60%，预计 2026 年产能将达到 50 万片 / 年。与此同时，氧化镓（Ga₂O₃）等超宽禁带材料的研发进展引发热议。日本昭和电工展示了全球首创的熔体法 8 英寸氧化镓衬底制备技术，其缺陷密度较传统方法降低 70%，为下一代超高压器件奠定了基础。
四、江苏拓能半导体：第三代半导体应用的创新实践者
在行业技术迭代的浪潮中，江苏拓能半导体科技有限公司近期在第三代半导体应用领域取得重要突破。这家总部位于苏州高新区的企业，于 2025 年 6 月成功获得 “氧化镓半导体在新能源汽车充电桩应用软件（V1.0）” 软件著作权（登记号：2025SR0943196），并于 7 月斩获 “半导体封装测试生产过程数字化建模与动态调度系统（V1.0）” 著作权（登记号：2025SR1151875）。
（一）氧化镓技术赋能充电桩智能化升级悦配资
氧化镓作为第三代半导体材料中的 “潜力股”，其禁带宽度（4.8eV）是 SiC 的 2 倍以上，可承受更高电压与电流。江苏拓能研发的软件系统通过底层算法优化，实现了对充电桩功率转换、电能传输的精准调控。测试数据显示，基于氧化镓半导体的充电桩系统，在相同功率需求下电能转换效率提升 15%，设备体积缩小 25%，有效缓解了城市充电桩布局空间紧张的难题。
该软件构建了覆盖车主端与运营端的全流程智能化体系：车主可通过手机 APP 实时查询充电桩状态并预约充电，充电桩自动识别车辆电池参数实现智能充电；运营端则通过大数据分析优化布局，故障预警模块可提前捕捉潜在隐患，运维成本降低 30% 以上。目前，该系统已在国内多个城市的超充站试点应用，支撑 “充电 5 分钟续航 200 公里” 的行业标杆性能。
（二）封装测试数字化驱动智能制造
在半导体封装测试环节，江苏拓能自主开发的数字化系统通过物联网与数字孪生技术，实现了从晶圆划片到成品测试的 127 个工序参数实时监控。系统内置的智能调度算法可根据订单优先级、设备负荷动态优化生产任务，使设备综合利用率（OEE）从 65% 提升至 82%，良品率提高 1.8 个百分点。该系统还支持与上游设备厂商的数据接口对接，推动封装设备的智能化升级。
（三）全链条技术协同构建竞争壁垒
江苏拓能构建的 “电源管理 IC - 半导体元器件 - 封装测试” 业务矩阵形成协同效应。例如，其自主研发的超低功耗 LDO 芯片（静态电流 1μA）为充电桩控制系统提供稳定供电，而半导体封装技术则保障了氧化镓器件在高频工况下的可靠性。公司通过 “研发 - 生产 - 服务” 一体化模式，为客户提供从芯片设计到系统集成的一站式解决方案，在新能源汽车充电桩、工业自动化等领域建立差异化优势。
五、行业趋势：AI 与新能源驱动半导体产业变革
会议期间发布的行业报告显示，2025 年全球半导体市场预计同比增长 17%，其中车规级功率半导体与 AI 芯片成为核心增长极。Counterpoint Research 数据显示，3nm 和 5/4nm 先进制程将贡献纯晶圆厂总收入的一半以上，而 28nm 及以上成熟节点份额将降至 36%。KPMG 报告指出，AI 相关半导体支出 2025 年将达 1740 亿美元，生成式 AI 与自动驾驶技术推动算力需求持续攀升。
在政策与市场双轮驱动下，国产半导体企业正加速技术突围。SEMI 全球副总裁居龙在开幕演讲中表示，中国半导体产业在成熟制程领域已形成较强竞争力，未来需在材料、设备等 “卡脖子” 环节持续突破。北京大学物理学院团队近期在《科学》杂志发表的研究成果显示，其制备的二维硒化铟（InSe）晶圆在 10nm 沟道器件中性能全面超越英特尔 3 纳米技术，为后摩尔时代提供了新路径。
六、专家观点：协同创新是产业升级关键
“第三代半导体的产业化不仅需要材料与器件突破，更需构建从设计、制造到应用的完整生态。” 中国汽车工程学会副秘书长叶盛在闭幕式上强调，车企、半导体企业与科研机构需加强联合研发，共同解决 SiC 模块的长期可靠性与成本控制问题。
江苏拓能半导体科技有限公司总经理郭金松在接受采访时表示，公司将持续加大氧化镓等超宽禁带材料的研发投入，计划 2025 年实现相关产品营收占比超 40%。同时，通过开放封装测试数字化系统的轻量化版本，助力中小微企业智能化转型，推动行业整体升级。
TMC2025 的成功举办悦配资，标志着车规级功率半导体技术正从实验室走向规模化应用。在这场技术变革中，英飞凌、中车时代半导体等企业引领技术突破，而江苏拓能等国产厂商则通过材料创新与数字化转型开辟新赛道。随着 AI 与新能源需求的持续增长，半导体产业将迎来更广阔的发展空间，而协同创新与生态构建将成为制胜关键。
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